收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > STC6NF30V
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STC6NF30V

STMicroelectronics 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STC6NF30V相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STCB1 Stanley Electric Co 37 CONN MOD BLOCK FOR SLIM STICK ...
STCC02-ED5 STMicroelectronics 16-DIP(0.300",7.62mm) IC CTRL CIRCUIT MCU APPL 16-DIP 应用:家用电器 电流 - 电源:1.25mA 电源电压:7 V ~ 27 V 工...
STCC05-BD4 STMicroelectronics 20-DIP(0.300",7.62mm) 634 IC CTRLR AC PWR APPLIANCE 20DIP 应用:家用电器 电流 - 电源:1.3mA 电源电压:7 V ~ 18 V 工作...
STC5NF30V STMicroelectronics 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STC5NF20V STMicroelectronics 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STC5DNF30V STMicroelectronics 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

STC6NF30V参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:9nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:800pF @ 25V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别