收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > STD901T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD901T

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 350V 4A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD901T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD90N02L STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 60A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD90N02L-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 60A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD90N03L STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD900 Rose Bopla DATABOSS 900 SUPPORT STAND ...
STD8NM60ND STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 600V 7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD8NM60N-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 7A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD901T参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):350V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大):100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1800 @ 2A,2V
功率 - 最大:35W
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别