收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > STE180NE10
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STE180NE10

STMicroelectronics ISOTOP
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与STE180NE10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STE250NS10 STMicroelectronics ISOTOP 941 MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
STE26NA90 STMicroelectronics ISOTOP MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
STE30NK90Z STMicroelectronics ISOTOP MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
STE180-75T2MI Vishay Sprague 轴向 CAP TANT 180UF 75V 20% AXIAL 电容:180µF 电压 - 额定:75V 容差:±20...
STE180-75T2KI Vishay Sprague 轴向 82 CAP TANT 180UF 75V 10% AXIAL 电容:180µF 电压 - 额定:75V 容差:±10...
STE140NF20D STMicroelectronics ISOTOP 132 MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

STE180NE10参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 欧姆 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:795nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:21000pF @ 25V
功率 - 最大:360W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别