收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF10N62K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF10N62K3

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STF10N62K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF10N65K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 991 MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF10NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 656 MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF10NM50N STMicroelectronics TO-220-3 整包 847 MOSFET N-CH 500V 7.0A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STEVAL-TSP001V1 STMicroelectronics 2 BOARD EVAL POE STHS4257A/L6565D ...
STEVAL-TLL013V1 STMicroelectronics 2 IC LINEAR ...
STEVAL-TLL012V1 STMicroelectronics 6 BOARD EVAL LED DRIVER STP4CMP ...

STF10N62K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):620V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1250pF @ 50V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别