收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP120NF04
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP120NF04

STMicroelectronics TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP120NF04相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP120NF10 STMicroelectronics TO-220-3 3737 MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP120NH03L STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP12IE90F4 STMicroelectronics TO-220-4 整包 TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4 晶体管类型:NPN - 发射极切换式双极 应用:栅极驱动器 电压 - 额定:90...
STP120N4F6 STMicroelectronics TO-220-3 502 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STP11NM80 STMicroelectronics TO-220-3 6653 MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP11NM65N STMicroelectronics TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP120NF04参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别