收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STS17NF3LL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS17NF3LL

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS17NF3LL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS17NH3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS19N3LLH6 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS1DN45K3 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
STS15N4LLF5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS15N4LLF3 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 40V 15A SOIC-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS14N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH 30V 14A SOIC-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STS17NF3LL参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2160pF @ 25V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别