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TK100E06N1,S1X

Toshiba TO-220-3 485
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简述:MOSFET N CH 60V 100A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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TK100E06N1,S1X参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10500pF @ 30V
功率 - 最大值:255W
安装类型:通孔

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