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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK10A60D(STA4,Q,M)
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TK10A60D(STA4,Q,M)

Toshiba TO-220-3 整包
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简述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
参考包装数量:2500
参考包装形式:管件

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TK10A60D(STA4,Q,M)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

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