收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TK13A55DA(STA4,QM)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TK13A55DA(STA4,QM)

Toshiba TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与TK13A55DA(STA4,QM)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 511 MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK13E25D,S1X(S Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK13A50D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TK13A55DA(STA4,QM)参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 6.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别