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TK40E10N1,S1X

Toshiba TO-220-3 465
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简述:MOSFET N CH 100V 90A TO220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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TK40E10N1,S1X参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3000pF @ 50V
功率 - 最大值:126W
安装类型:通孔

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