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TK58E06N1,S1X

Toshiba TO-220-3
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简述:MOSFET N CH 60V 58A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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TK58E06N1,S1X参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):58A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3400pF @ 30V
功率 - 最大值:110W
安装类型:通孔

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