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TPCA8007-H(TE12L,Q

Toshiba 8-PowerVDFN
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简述:MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与TPCA8007-H(TE12L,Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCA8006-H(TE12LQM Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 100V 18A SOP-8 ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCA8006-H(TE12L,Q Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 100V 18A 8-SOPA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCA8005-H(TE12LQM Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPCA8007-H(TE12L,Q参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 10V
功率 - 最大值:45W
安装类型:表面贴装

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