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TPCC8061-H,LQ(S

Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘
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简述:MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCC8061-H,LQ(S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8061-H,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8009,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8008(TE12L,QM) Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

TPCC8061-H,LQ(S参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 10V
功率 - 最大值:15W
安装类型:表面贴装

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