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TPCC8103(TE12L,Q)

Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘
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简述:MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON-ADV
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCC8103(TE12L,QM) Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPCC8104,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8105,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8084,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 33V 21A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8076,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 33V 27A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPCC8074,LQ(O Toshiba 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON-ADV FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPCC8103(TE12L,Q)参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 10V
功率 - 最大值:27W
安装类型:表面贴装

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