收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > TPCS8210(TE12L,Q)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPCS8210(TE12L,Q)

Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPCS8210(TE12L,Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPCS8210(TE12L,Q,M Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCS8211(TE12L,Q,M Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCS8212(TE12L,Q,M Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCS8209(TE12L,Q,M Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCS8209(TE12L,Q) Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET NCH 20V 5A 8-TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPCS8208(TE12L,Q,M Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

TPCS8210(TE12L,Q)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 4A,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1280pF @ 10V
功率 - 最大:600mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别