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TPS1120DRG4

Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 0+42500
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简述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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TPS1120DRG4参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):15V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:840mW
安装类型:表面贴装

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