| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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UPA2791GR-E2-AT |
Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| UPA2810T1L-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2810T1L-E2-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA602T-T1-A | Renesas Electronics America | SC-59-6 | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UPA2791GR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| UPA2790GR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| UPA2790GR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
