收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > UPA861TD-T3-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

UPA861TD-T3-A

CEL 6-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN DUAL TD
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与UPA861TD-T3-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UPA862TD-A CEL TD TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V,5.5V...
UPA862TD-T3-A CEL TD TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V,5.5V...
UPA863TD-A CEL 6-SMD,扁平引线 0+8660 TRANSISTOR NPN SIL RF DUAL 6MINI 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V,5.5V...
UPA861TD-A CEL TD TRANSISTOR NPN DUAL TD 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...
UPA828TD-T3-A CEL 6-SMD TRANSISTOR NPN SIL RF DUAL 6MINI 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...
UPA828TD-A CEL 6-SMD,扁平引线 0+16079 TRANSISTOR NPN SIL RF DUAL 6MINI 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 -...

UPA861TD-T3-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V
频率 - 转换:12GHz,20GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
增益:-
功率 - 最大:195mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 10mA,1V / 50 @ 5mA,1V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA,35mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别