收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > VMM650-01F
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

VMM650-01F

IXYS Y3-Li
询价QQ:
简述:MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI
参考包装数量:2
参考包装形式:散装

与VMM650-01F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
VMM85-02F IXYS Y4 MOSFET MOD PHASE LEG 200V Y4 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
VMM90-09F IXYS Y3-Li MOSFET MOD PHASE LEG 900V Y3-LI FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
VMMK-1218-BLKG Avago Technologies US Inc. 0402(1005 公制) 1703 AMP RFIC LNA E-PHEMT 18GHZ 0402 晶体管类型:E-pHEMT 频率:10GHz 增益:9dB 电压 - 测试:3V...
VMM45-02F IXYS TO-240AA MOSFET MOD PHASE 200V TO-240AA FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
VMM300-03F IXYS Y3-DCB MOSFET MOD PHASE LEG 300V Y3-DCB FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
VMM1500-0075P IXYS Y3-Li MOSFET MOD DUAL PHASE 750V Y3-LI FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

VMM650-01F参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:680A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.2 毫欧 @ 500A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 30mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1440nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别