收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > VMO1200-01F
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

VMO1200-01F

IXYS Y3-Li
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
参考包装数量:2
参考包装形式:托盘

与VMO1200-01F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
VMO150-01P1 IXYS ECO-PAC2 MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
VMO1600-02P IXYS Y3-Li MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
VMO40-05P1 IXYS ECO-PAC2 MOSFET N-CH ECO-PAC2 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
VMMK-3803-TR1G Avago Technologies US Inc. 0402(1005 公制) IC AMP LNA LOW NOISE SMD 频率:3GHz ~ 11GHz P1dB:9dBm 增益:20dB 噪音数据:1...
VMMK-3803-BLKG Avago Technologies US Inc. 0402(1005 公制) IC AMP LNA LOW NOISE SMD 频率:3GHz ~ 11GHz P1dB:9dBm 增益:20dB 噪音数据:1...
VMMK-3603-TR1G Avago Technologies US Inc. 0402(1005 公制) AMP POS GAIN SLOPE LNA SMD 频率:1GHz ~ 6GHz P1dB:- 增益:16.8dB 噪音数据:1.5...

VMO1200-01F参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1245A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.35 毫欧 @ 932A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 64mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2520nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别