收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > VN10LPSTOB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

VN10LPSTOB

Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与VN10LPSTOB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
VN10LPSTZ Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
VN1160 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC OFF-LINE CONVERTER 60V DPAK 输出隔离:- 频率范围:- 输入电压:9 V ~ 40 V 输出电压:- 功率(...
VN1160-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB IC OFF-LINE CONVERTER 60V IPAK 输出隔离:- 频率范围:- 输入电压:9 V ~ 40 V 输出电压:- 功率(...
VN10LPSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CH DMOS 60V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
VN10LP Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 2299 MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
VN10LFTC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

VN10LPSTOB参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):270mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V
功率 - 最大值:625mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别