收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > VWM200-01P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

VWM200-01P

IXYS V2-PAK
询价QQ:
简述:MODULE VWM 6PACK 210A 100V V2
参考包装数量:5
参考包装形式:散装

与VWM200-01P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
VWM350-0075P IXYS V2-PAK MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2 FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
VWO140-08IO1 IXYS 模块 MODULE AC CTLR 3PH 800V V2-PACK 结构:3 相控制器 - 全部为 SCR SCR 数目,二极管:6 SCRs 电压...
VWO140-12IO1 IXYS 模块 MODULE AC CTLR 3PH 1200V V2-PACK 结构:3 相控制器 - 全部为 SCR SCR 数目,二极管:6 SCRs 电压...
VWI6-12P1 IXYS ECO-PAC2 MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
VWI3X20-06P1 IXYS ECO-PAC1 MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1 IGBT 类型:- 配置:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
VWI35-06P1 IXYS ECO-PAC2 MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...

VWM200-01P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:210A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.2 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:430nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:通孔

最近更新

型号类别