收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ZVN0124ZSTZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZVN0124ZSTZ

Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CHAN 240V TO92-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带盒(TB)

与ZVN0124ZSTZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZVN0540A Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVN0540ASTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 400V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVN0540ASTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 400V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ZVN0124ZSTOB Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN0124ZSTOA Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ZVN0124Z Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ZVN0124ZSTZ参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):240V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):160mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):85pF @ 25V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:通孔

最近更新

型号类别