收藏本站

首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT 
元件索引: A C F G H I M Q S V 5
型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
APT100GF60JU2 Microsemi Power Products Group ISOTOP 43 IGBT 600V 120A 416W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100GF60JU3 Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 600V 120A 416W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100GN120J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 IGBT 1200V 153A 446W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GN120JDQ4 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 15 IGBT 1200V 153A 446W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GT120JR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 9 IGBT 1200V 123A 570W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APT100GT120JRDL Microsemi Power Products Group ISOTOP 48 IGBT 1200V 123A 570W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APT100GT120JRDQ4 Microsemi Power Products Group ISOTOP 20 IGBT 1200V 123A 570W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APT100GT120JU2 Microsemi Power Products Group ISOTOP 269 IGBT 1200V 140A 480W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GT120JU3 Microsemi Power Products Group ISOTOP 17 IGBT 1200V 140A 480W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GT60JR Microsemi Power Products Group ISOTOP 31 IGBT 600V 148A 500W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100GT60JRDQ4 Microsemi Power Products Group ISOTOP 81 IGBT 600V 148A 500W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT150GN120J Microsemi Power Products Group ISOTOP 205 IGBT 1200V 215A 625W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT150GN120JDQ4 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 50 IGBT 1200V 215A 625W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT150GN60J Microsemi Power Products Group ISOTOP 22 IGBT 600V 220A 536W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APT150GN60JDQ4 Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 600V 220A 536W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APT150GT120JR Microsemi Power Products Group ISOTOP 40 IGBT 1200V 170A 830W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APT200GN60J Microsemi Power Products Group ISOTOP 46 IGBT 600V 283A 682W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APT200GN60JDQ4 Microsemi Power Products Group ISOTOP 64 IGBT 600V 283A 682W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APT200GN60JDQ4G Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 600V 283A 682W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APT200GN60JG Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 600V 283A 682W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11]