| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGL120TA120TPG | Microsemi Power Products Group | SP6 | 19 | IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三相 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL180A1202G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL180A120T3AG | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL240TL120G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGL325A120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL325DA120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 420A 1500W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL325SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 420A 1500W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL475A120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | 10 | POWER MOD MOSFET 4PHASE LEG D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL475DA120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 610A 2080W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL475SK120D3G | Microsemi Power Products Group | D3 | IGBT 1200V 610A 2080W D3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGL475U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | 2 | IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL475U120DAG | Microsemi Power Products Group | * | 9 | POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGL60DDA120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 1 | IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双路升压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿（... | |
| APTGL60TL120T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 15 | POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGL700U120D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 1200V 910A 3000W D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100A120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | 33 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100A120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT100A170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | 9 | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 18 | IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
