| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGT50H120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT50H170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT50H60RT3G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT50H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | ||
| APTGT50H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 8 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT50SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 75A 270W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 75A 277W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 70A 310W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50SK170T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1700V 75A 312W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50SK170TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1700V 75A 312W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50TA170PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三相 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | ||
| APTGT50TA60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三相 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APTGT50TDU170PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三，双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿... | ||
| APTGT50TDU60PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三，双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿... | ||
| APTGT50TL601G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 3 | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT50X60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | 25 | IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... | |
| APTGT580U60D4G | Microsemi Power Products Group | D4 | IGBT 600V 760A 1600W D4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APTGT600A60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 70 | POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT600DA60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT 600V 700A 2300W SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | ||
| APTGT600DU60G | Microsemi Power Products Group | SP6 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：双，共源 电压 - 集电极发射极击穿（最大）... |
