收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APT30GF60JU2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT30GF60JU2

Microsemi Power Products Group ISOTOP 38
询价QQ:
简述:IGBT 600V 58A 192W SOT227
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APT30GF60JU2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT30GF60JU3 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 35 IGBT 600V 58A 192W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT30GN60BDQ2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 IGBT 600V 63A 203W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
APT30GN60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 60 IGBT 600V 63A 203W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...
APT30F60J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT30F50B Microsemi Power Products Group TO-247-3 202 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30DS60S Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA DIODE SERIES 20A 600V D3PAK 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):4V @ 30A 电流 - 在 ...

APT30GF60JU2参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):58A
电流 - 集电极截止(最大):40µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.85nF @ 25V
功率 - 最大:192W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别