| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT30GN60BDQ2G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 63A 203W TO247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT30GN60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 60 | IGBT 600V 63A 203W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... |
| APT30GP60BDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 463W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| APT30GP60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 50 | IGBT 600V 100A 463W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT30GF60JU3 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 35 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... |
| APT30GF60JU2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 38 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | IGBT 类型：NPT 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V... |
| APT30F60J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
