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APTGT200H60G

Microsemi Power Products Group SP6
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
参考包装数量:1
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与APTGT200H60G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT200H60G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):290A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):12.3nF @ 25V
功率 - 最大:625W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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