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APTGT200SK120D3G

Microsemi Power Products Group D3
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简述:IGBT 1200V 300A 1050W D3
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与APTGT200SK120D3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT200H120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
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APTGT200SK120D3G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):300A
电流 - 集电极截止(最大):6mA
Vce 时的输入电容 (Cies):14nF @ 25V
功率 - 最大:1050W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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