收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM100A46FT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM100A46FT1G

Microsemi Power Products Group SP1
询价QQ:
简述:MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM100A46FT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM100AM90FG Microsemi Power Products Group SP6 14 MOSFET 2 N CH 1000V 78A SP6 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM100DA18T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100DA18TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100A40FT1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM100A23STG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET PHASE LEG SER/PAR DIO SP4 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM100A23SCTG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...

APTM100A46FT1G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:552 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:6800pF @ 25V
功率 - 最大:357W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别