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APTM100DA18T1G

Microsemi Power Products Group SP1
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简述:MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTM100DA18T1G参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:216 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:14800pF @ 25V
功率 - 最大:657W
安装类型:底座安装

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