收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM100UM65SAG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM100UM65SAG

Microsemi Power Products Group SP6 8
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM100UM65SAG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM10AM02FG Microsemi Power Products Group SP6 22 PWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM10AM05FTG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM10DAM02G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 100V 495A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100UM65DAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100UM60FAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100UM45FAG Microsemi Power Products Group SP6 3 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM100UM65SAG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:145A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:78 毫欧 @ 72.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 20mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1068nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:28500pF @ 25V
功率 - 最大:3250W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别