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APTM10DAM02G

Microsemi Power Products Group SP6
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简述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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APTM10DAM02G参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:495A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.5 毫欧 @ 200A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:40000pF @ 25V
功率 - 最大:1250W
安装类型:底座安装

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