| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTM20DHM08G |
Microsemi Power Products Group | SP6 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 参考包装数量：1 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTM20DHM10G | Microsemi Power Products Group | SP6 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 | FET 型：2 N 沟道（非对称桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vds... | |
| APTM20DHM16TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 | FET 型：2 N 沟道（非对称桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vds... | |
| APTM20DHM20TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 | FET 型：2 N 沟道（非对称桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vds... | |
| APTM20DAM10TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM20DAM08TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM20DAM05G | Microsemi Power Products Group | SP6 | 10 | MOSFET MOD BOOST CHOP 200V SP6 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
