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APTM20DHM20TG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM20DHM20TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM20DUM04G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD DUAL COM SRC 200V SP6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
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APTM20DHM08G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...

APTM20DHM20TG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:89A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 44.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:112nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:6850pF @ 25V
功率 - 最大:357W
安装类型:底座安装

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