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CPH6616-TL-E

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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简述:MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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CPH6616-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:187pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

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