| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD75204W15 | Texas Instruments | 9-UFBGA，DSBGA | 5925+39000 | MOSFET PCH -20V -3A 9DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD75205W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 5956+3000 | MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD75211W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| CSD75301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | 3000+9000 | MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD86311W1723 | Texas Instruments | 12-UFBGA，DSBGA | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN | 5000 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... | |
| CSD86350Q5D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） | 10000 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... | |
| CSD87330Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | 5000 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... | |
| CSD87331Q3D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vds... | ||
| CSD87350Q5D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 40A 8SON | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| CSD87351Q5D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | 2500 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V SON | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD87352Q5D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | 4694 | MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| CSD87353Q5D | Texas Instruments | 8-LDFN 裸露焊盘 | 5000 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vds... | |
| CPH6616-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| CPH6615-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| CPH5617-TL-E | ON Semiconductor | 5-SMD，鸥翼型 | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
