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CSD86311W1723

Texas Instruments 12-UFBGA,DSBGA
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简述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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CSD86311W1723参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:39 毫欧 @ 2A,8V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:585pF @ 12.5V
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

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