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CSD86330Q3D

Texas Instruments 8-LDFN 5000
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简述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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CSD86330Q3D参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 通道(半桥)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.6 毫欧 @ 14A,8V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:920pF @ 12.5V
功率 - 最大:6W
安装类型:表面贴装

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