| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8602M-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ECH8619-TL-E | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ECH8620-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ECH8649-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | 9000 | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ECH8651R-TL-HX | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | 0+1941000 | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ECH8652-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH 12V 6A ECH8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ECH8673-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 40V 3.5A ECH8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ECH8674-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL ECH8 | ... | |||
| ECH8675-TL-H | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| EFC4618R-TR | ON Semiconductor | 4-XBGA，4-FCBGA | 0+45605000 | MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EFCP1818 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| EM5K5T2R | Rohm Semiconductor | EMT5 | 8000 | MOSFET N-CH DUAL 30V .3A EMT5 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| EM6J1T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 26743 | MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| EM6K1T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 16000 | MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| EM6K6T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24447 | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| EM6K7T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 32000 | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| EM6M1T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24000 | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| EM6M2T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| EMH2308-TL-E | ON Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
