| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC150N03LDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSC750N10NDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSD223P | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD223PL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD235CH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSD235CL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSD235NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD840NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL205NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL207NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 6000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO150N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 18872 | MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSO215C | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSO220N03MDG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO303P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO303PH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS138BKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS138DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSS138DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 45000 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS138PS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 15000 | MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS8402DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
