收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMG1013T-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMG1013T-7

Diodes Inc SOT-523 81000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMG1013T-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMG1013UW-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 21000 MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG1016UDW-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 69000 MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
DMG1016V-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 2581 MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
DMG1012UW-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 33000 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMG1012T-7 Diodes Inc SOT-523 79122 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMF-682ANF-EW-BFN Kyocera Display America, Inc. LCD GRAPHIC MODULE 256X128 PIXEL ...

DMG1013T-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):460mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.622nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):59.76pF @ 16V
功率 - 最大值:270mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别