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DMG1016V-7

Diodes Inc SOT-563,SOT-666 2581
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简述:MOSFET N+P 20V 870MA SOT563
参考包装数量:1
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与DMG1016V-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMG1016V-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:870mA,640mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.74nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:60.67pF @ 16V
功率 - 最大:530mW
安装类型:表面贴装

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