收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMS3014SFG-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMS3014SFG-7

Diodes Inc 8-PowerWDFN 2000
询价QQ:
简述:MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMS3014SFG-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMS3014SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4898 MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3015SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3016SFG-13 Diodes Inc 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3012SFG-7 Diodes Inc 8-PowerWDFN 2000 MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMS240125-P5P-IC CUI Inc POWER SUPPLY SWITCHING 24V 1.25A ...
DMS240063-P5P-SZ CUI Inc XFRMR 15W 24V 0.63A MULTI PLUG ...

DMS3014SFG-7参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 10.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4310pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别