收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMS3016SFG-13
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMS3016SFG-13

Diodes Inc 8-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMS3016SFG-13相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMS3016SFG-7 Diodes Inc 8-PowerVDFN 2000 MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3016SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 ...
DMS3016SSSA-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET N-CH SCHOT 30V 9.8A SO-8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3015SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3014SSS-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4898 MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:逻辑电...
DMS3014SFG-7 Diodes Inc 8-PowerWDFN 2000 MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMS3016SFG-13参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1886pF @ 15V
功率 - 最大值:980mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别