收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > GWM120-0075X1-SMDSAM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

GWM120-0075X1-SMDSAM

IXYS 18-SMD,非标准型
询价QQ:
简述:IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
参考包装数量:1
参考包装形式:管件

与GWM120-0075X1-SMDSAM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
GWM160-0055P3 IXYS ISOPLUS-DIL? IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM160-0055X1-SL IXYS 17-SMD,扁平引线 14 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS 17-SMD,扁平引线 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM120-0075X1-SMD IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
GWM120-0075X1-SL IXYS 18-SMD,非标准型 IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT FET 型:6 N-沟道(3 相桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...

GWM120-0075X1-SMDSAM参数资料

PDF资料下载:

FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:115nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别