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GWM160-0055P3

IXYS ISOPLUS-DIL?
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简述:IC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL
参考包装数量:20
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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GWM160-0055P3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

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