收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HAT1072H-EL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HAT1072H-EL-E

Renesas Electronics America SC-100,SOT-669
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与HAT1072H-EL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HAT1200-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 1200A 15V 电流 - 感应:1200A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - ...
HAT1500-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 1500A 15V 电流 - 感应:1500A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - ...
HAT200-S LEM USA Inc 模块 CURRENT TRANSDUCERS 200A 15V 电流 - 感应:200A 精确度:±1% 灵敏度:- 电流 - 电...
HAT1072H Renesas Electronics America SC-100,SOT-669 MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HAT1048R-EL-E Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
HAT1048R Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

HAT1072H-EL-E参数资料


FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9500pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别