| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HAF1002-90STL | Renesas Electronics America | SC-83 | MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAF1002-90STL-E | Renesas Electronics America | SC-83 | MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2088R-EL-E | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2096H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | 7500 | MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| HAT2099H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2160H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2160H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2160N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2164H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2164H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2165H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2267H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2279H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2279N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HCT7000MTXV | TT Electronics/Optek Technology | 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HRF3205 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HRFZ44N | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | 8-CDIP 裸露焊盘 | MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | 4-SIP | MOSFET N-CHANNEL 55V 4-PIN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HUF75229P3 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
